BSO040N03MSGXUMA1和BSO051N03MS G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO040N03MSGXUMA1 BSO051N03MS G BSO110N03MSGXUMA1

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0033 ohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8Pin DSOINFINEON  BSO110N03MSGXUMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 30 V, 0.0092 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8

额定功率 1.56 W - 1.56 W

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 3.3 mΩ - 0.0092 Ω

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 1.56 W 1.56W (Ta) 1.56 W

阈值电压 1 V - 2 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 16A - 10A

上升时间 9 ns 7.6 ns 4.4 ns

输入电容(Ciss) 5700pF @15V(Vds) 4300pF @15V(Vds) 1500pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

下降时间 9 ns 8 ns 4.4 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta) 1.56W (Ta)

通道数 1 - -

漏源击穿电压 30 V - -

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.75 mm - 1.65 mm

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 PG-DSO-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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