UCC37322P和UCC37322PE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UCC37322P UCC37322PE4 UCC37322D

描述 TEXAS INSTRUMENTS  UCC37322P  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, DIP-8单9A高速低侧MOSFET驱动器与启用 SINGLE 9-A HIGH SPEED LOW-SIDE MOSFET DRIVER WITH ENABLETEXAS INSTRUMENTS  UCC37322D  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 PDIP-8 SOIC-8

电源电压(DC) 15.0V (max) 4.00V (min) 15.0V (max)

上升/下降时间 20 ns 20 ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

输出电压 150 mV - 150 mV

输出电流 9 A - 9 A

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.35 W 0.35 W 650 mW

上升时间 70 ns 70 ns 35 ns

下降时间 30 ns 30 ns 20 ns

下降时间(Max) 30 ns - 30 ns

上升时间(Max) 70 ns - 70 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - 0 ℃

耗散功率(Max) 350 mW - 650 mW

电源电压 4V ~ 15V 4V ~ 15V 4V ~ 15V

电源电压(Max) 15 V 15 V 15 V

电源电压(Min) 4 V 4 V 4 V

通道数 1 - -

长度 9.81 mm - 4.9 mm

宽度 6.35 mm - 3.91 mm

高度 4.57 mm - 1.58 mm

封装 DIP-8 PDIP-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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