BD1396STU和BD139G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD1396STU BD139G

描述 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.50 A 1.50 A

针脚数 3 3

极性 NPN NPN

耗散功率 12.5 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 25

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W

直流电流增益(hFE) 40 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250 mW 1250 mW

最大电流放大倍数(hFE) 250 -

长度 8.3 mm 7.74 mm

宽度 3.45 mm 2.66 mm

高度 11.2 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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