对比图
型号 IXSK50N60AU1 IXXK100N60B3H1 STGP8NC60KD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin(3+Tab) TO-264AATrans IGBT Chip N-CH 600V 200A 695000mW Automotive 3Pin TO-264STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-220-3
耗散功率 - 695 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 50 ns 140 ns 23.5 ns
额定功率(Max) 300 W 695 W 65 W
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 695000 mW 65000 mW
针脚数 - - 3
长度 - 20.29 mm -
宽度 - 5.31 mm -
高度 - 26.59 mm -
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99