对比图
型号 BC368G NTE123AP BC546B
描述 电压和电流均为负 Voltage and Current are NegativeNTE ELECTRONICS NTE123AP 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 1.5 W, 600 mA, 100 hFETransistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics Diotec Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 1.00 A - -
极性 NPN NPN -
耗散功率 625 mW 625 mW 500 mW
增益频宽积 56 MHz - 300 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 20 V 40.0 V -
集电极最大允许电流 1A 0.6A -
最小电流放大倍数(hFE) 85 @500mA, 1V - -
额定功率(Max) 625 mW - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 350 mW 500 mW
频率 - 250 MHz -
针脚数 - 3 -
集电极击穿电压 - 60.0 V (min) -
直流电流增益(hFE) - 300 -
长度 5.2 mm - -
宽度 4.19 mm - -
高度 5.33 mm - -
封装 TO-92-3 TO-92 TO-92
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk - Roll, Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
HTS代码 - 85412100959 -