对比图
型号 IRG4PC50SPBF STGW35NB60SD STGW40NC60WD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC TubeSTMICROELECTRONICS STGW35NB60SD 单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STMICROELECTRONICS STGW40NC60WD 单晶体管, IGBT, 70 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V
额定电流 70.0 A 35.0 A 40.0 A
针脚数 - 3 3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 200000 mW 200 W 250 W
漏源极电压(Vds) - 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) - 70.0 A 40.0 A
上升时间 30.0 ns 70 ns 12.0 ns
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
反向恢复时间 - 44 ns 45 ns
额定功率(Max) 200 W 200 W 250 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 200 W 250000 mW
输入电容 - - 2.90 nF
栅电荷 - - 126 nC
产品系列 IRG4PC50S - -
长度 - 15.75 mm 15.75 mm
宽度 - 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99