DS2016R-100+和LH5116NA-10

对比图

型号 DS2016R-100+ LH5116NA-10 6116LA25SOG8

描述 IC SRAM 16Kbit 100NS 24SOICSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 100ns 24Pin SOPSRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 25ns 24Pin SOIC T/R

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Sharp (夏普) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 24 24 24

封装 SOIC-24 SOP-24 SOIC-24

时钟频率 100 GHz 100 GHz -

存取时间 100 ns 100 ns 25 ns

内存容量 16000 B 16000 B -

存取时间(Max) - 100 ns -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 2.7V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) - -

高度 - 2.4 mm -

封装 SOIC-24 SOP-24 SOIC-24

长度 - - 15.4 mm

宽度 - - 7.60 mm

厚度 - - 2.34 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Contains Lead Lead Free