对比图
型号 FQD12N20TF HUF75925D3ST FDD2670
描述 N沟道 200V 9A11A ， 200V ， 0.275 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 11A, 200V, 0.275 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD2670 场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V
额定电流 9.00 A 11.0 A 3.60 A
漏源极电阻 280 mΩ 275 mΩ 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 55W (Tc) 100W (Tc) 3.2 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.00 A 11.0 A 3.60 A
输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 1030pF @25V(Vds) 1228pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 100 W 1.3 W
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 100W (Tc) 70 W
通道数 - - 1
针脚数 - - 2
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1.23 nF
栅电荷 - - 27.0 nC
上升时间 - - 8 ns
下降时间 - - 25 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99