对比图
型号 FDS9431A IRF7425PBF IRF7425TRPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9431A 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -20 V, 130 mohm, -4.5 V, -600 mVINFINEON IRF7425PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 15 A, -20 V, 8.2 mohm, 4.5 V, 1.2 VINFINEON IRF7425TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -20 V, 0.0082 ohm, -4.5 V, -1.2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 130 mΩ 0.0082 Ω 0.0082 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 1.2 V 1.2 V
输入电容 405 pF - 7980 pF
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -3.50 A -15.0 A 15A
上升时间 20 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 405pF @10V(Vds) 7980pF @15V(Vds) 7980pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 21 ns 160 ns 160 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
产品系列 - IRF7425 -
额定电压(DC) -20.0 V - -
额定电流 -3.50 A - -
通道数 1 - -
栅电荷 6.00 nC - -
漏源击穿电压 20 V - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
长度 5 mm 5 mm 5 mm
宽度 4 mm 4 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -