BAT54SWT1G和NSVBAT54SWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAT54SWT1G NSVBAT54SWT1G BAT54SW,115

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAT54SWT1G  小信号肖特基二极管, 双系列, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °CNSVBAT54SWT1G 编带200mA 至 500mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 肖特基二极管二极管阵列肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 200 mA - -

电容 10.0 pF - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

针脚数 3 3 3

正向电压 0.8 V 800mV @100mA 800mV @100mA

耗散功率 200 mW 200 W 230 mW

反向恢复时间 5 ns 5 ns 5 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 600 mA 600 mA 600 mA

正向电压(Max) 800 mV 800mV @100A 800 mV

正向电流(Max) 200 mA 0.2 A 200 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

工作结温(Max) 125 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

工作结温 - - 150℃ (Max)

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 0.9 mm 0.85 mm 1 mm

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -

重量 - - 0.004535924 kg

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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