MJD50TF和NJVMJD50T4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD50TF NJVMJD50T4G KSH50TF

描述 ON Semiconductor MJD50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 400V TRON Semiconductor KSH50TF , NPN 晶体管, 1 A, Vce=400 V, HFE:10, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 10 MHz 10 MHz -

耗散功率 1.56 W 1.56 W 15 W

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V 30 @300mA, 10V

额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1560 mW 1560 mW 1560 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 10

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 1A -

最大电流放大倍数(hFE) - 150 @300mA, 10V -

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.1 mm

高度 2.38 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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