对比图
型号 IPS65R1K5CEAKMA1 IPS70R1K4P7SAKMA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 VIPS70R1K4P7SAKMA1 袋装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-251-3 TO-251-3
额定功率 28 W -
通道数 1 -
针脚数 3 3
漏源极电阻 1.5 Ω 1.15 Ω
极性 N-Channel -
耗散功率 28 W 22.7 W
阈值电压 2.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 700 V
漏源击穿电压 650 V -
连续漏极电流(Ids) 3.1A -
上升时间 5.9 ns 4.9 ns
输入电容(Ciss) 225pF @100V(Vds) 158pF @400V(Vds)
下降时间 18.2 ns 61 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 28W (Tc) 22.7W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm
宽度 2.38 mm 2.38 mm
高度 6.22 mm 6.22 mm
封装 TO-251-3 TO-251-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅