SPB80N06S2L-05和STL85N6F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPB80N06S2L-05 STL85N6F3 SPB80N06S2-H5

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道60 V , 0.0057 Ω , 19的PowerFLAT ? 5×6的STripFET ?功率MOSFET N-channel 60 V, 0.0057 Ω, 19 A PowerFLAT? 5x6 STripFET? Power MOSFET的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3-2 PowerVDFN-8 TO-263-3

引脚数 - 8 -

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 80.0 A - 80.0 A

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 80W (Tc) 300W (Tc)

输入电容 7.53 nF - 550 pF

栅电荷 230 nC - 155 nC

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 19A 80.0 A

输入电容(Ciss) 7530pF @25V(Vds) 3400pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 4 W 300 W

耗散功率(Max) 300W (Tc) 80W (Tc) 300W (Tc)

上升时间 - 14.3 ns -

下降时间 - 7.1 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-263-3-2 PowerVDFN-8 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

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