对比图
型号 NTD20N06LT4G NTD5867NLT4G FQD20N06TM
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD20N06LT4G 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 20A, D-PAKON SEMICONDUCTOR NTD5867NLT4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.026 ohm, 10 V, 1.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.039 Ω 0.026 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 36 W 38 W
阈值电压 1.6 V 1.8 V 4 V
输入电容 7.7pF @25V 675 pF -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V 60.0 V
上升时间 98 ns 12.6 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 990pF @25V(Vds) 675pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.36 W 36 W 2.5 W
下降时间 62 ns 2.4 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.36 W 36W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 20.0 A - 16.8 A
栅源击穿电压 ±15.0 V - ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A, 20.0 mA - 16.8 A
额定功率 60 W - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.1 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.3 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 EAR99 - EAR99