对比图
型号 PESD3V3V4UW PESD3V3V4UW,115
描述 非常低的电容单向四联ESD保护二极管阵列 Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arraysPESD3V3V4UW 系列 5.6 V 15 pF 四通道 ESD 保护 二极管 - SOT 665
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 TVS二极管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 5
封装 SOT-665 SOT-665
电容 - 18 pF
钳位电压 - 11 V
测试电流 - 1 mA
脉冲峰值功率 - 16 W
最小反向击穿电压 - 5.3 V
击穿电压 - 5.3 V
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
高度 - 0.6 mm
封装 SOT-665 SOT-665
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free