FDG315N和FDG327NZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDG315N FDG327NZ

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG315N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 30 V, 120 mohm, 10 V, 1.8 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDG327NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.068 ohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

额定电压(DC) 30.0 V 20.0 V

额定电流 2.00 A 1.50 A

通道数 1 -

针脚数 6 6

漏源极电阻 0.12 Ω 0.068 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 750 mW 420 mW

阈值电压 1.8 V 700 mV

输入电容 220 pF 412 pF

栅电荷 2.10 nC 4.20 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 20 V

漏源击穿电压 30 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A 1.50 A

上升时间 11 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 412pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 480 mW 380 mW

下降时间 3 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 750mW (Ta) 420mW (Ta)

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99

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