CY7C1414KV18-300BZXC和CY7C1414KV18-300BZXI

对比图

型号 CY7C1414KV18-300BZXC CY7C1414KV18-300BZXI CY7C1414KV18-300BZI

描述 36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

位数 36 36 -

存取时间 0.45 ns - -

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) 1.9 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

时钟频率 - 300 MHz -

长度 15 mm - -

宽度 13 mm - -

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 FBGA-165 LBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991 -