对比图
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。VISHAY IRFB9N60APBF. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 750 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 9.20 A
额定功率 - 170 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.64 Ω 0.75 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 185 W 170 W
阈值电压 3 V 4 V
输入电容 - 1400pF @25V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V
连续漏极电流(Ids) 10A 9.20 A
上升时间 50 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1475pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds)
下降时间 50 ns 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 185W (Tc) 170 W
额定功率(Max) 185 W -
长度 10.36 mm 10.51 mm
宽度 4.9 mm 4.7 mm
高度 16.07 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube Tube
产品生命周期 Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -