对比图
型号 IXFP4N60P3 TK4P60DB TK4P60DA
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备DPAK N-CH 600V 3.7ATOSHIBA TK4P60DA 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 600 V, 1.7 ohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor Toshiba (东芝) Toshiba (东芝)
分类 MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 DPAK TO-252
耗散功率 114W (Tc) - 35 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 114W (Tc) - -
极性 - N-CH N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 3.7A 3.5A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 1.7 Ω
阈值电压 - - 2.4 V
长度 10.66 mm - -
宽度 4.83 mm - -
高度 16 mm - -
封装 TO-220-3 DPAK TO-252
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - -
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15