对比图
型号 LT1013AMJG TLE2022BMJGB LT1013DD
描述 Texas Instruments 的精密运算放大器，具有低输入偏置电压，且随温度发生的偏置电压偏移较小。 这些设备具有稳定的可预测工作特性，这在众多要求苛刻的应用中至关重要。 CMOS 和 JFET 输入类型还具有极低的输入偏置电流，这使它们非常适合在要求较高电阻值的电路中使用。神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS LT1013DD 双运算放大器
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器运算放大器运算放大器
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 DIP CDIP SOIC-8
电源电压(DC) 22.0 V - -
电路数 2 - 2
通道数 2 2 2
针脚数 8 - 8
共模抑制比 100 dB 90 dB 97 dB
输入补偿漂移 400 nV/K 2.00 µV/K 500 nV/K
带宽 1 MHz - 1 MHz
转换速率 400 mV/μs 500 mV/μs 400 mV/μs
增益频宽积 700 kHz 1.7 MHz 1 MHz
输入补偿电压 0.25 mV 0.25 mV 200 µV
输入偏置电流 35 nA 70 nA 15 nA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 0 ℃
共模抑制比(Min) 100 dB 90 dB 97 dB
电源电压 4V ~ 44V - -
电源电压(Max) 44 V - -
输出电流 - ≤30 mA -
耗散功率 - 1.05 W -
耗散功率(Max) - 1050 mW -
工作电压 - - 4V ~ 44V
供电电流 - - 350 µA
增益带宽 - - 1 MHz
长度 9.6 mm - 4.9 mm
宽度 6.67 mm - 3.91 mm
高度 4.57 mm - 1.58 mm
封装 DIP CDIP SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Rail, Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15