BD676和BD676G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD676 BD676G TIP127G

描述 塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP DarlingtonsPNP 复合晶体管,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管PNP 复合晶体管,On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管(集成或分离设备)的复合结构。 这些设备连接,因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-220-3

额定电压(DC) -45.0 V -45.0 V -100 V

额定电流 -4.00 A -4.00 A -5.00 A

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 100 V

集电极最大允许电流 4A 4A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 750 750 @1.5A, 3V 1000 @3A, 3V

额定功率(Max) 40 W 40 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 14 W 40000 mW 2000 mW

输出电压 - - 100 V

输出电流 - - 5 A

热阻 - - 62.5℃/W (RθJA)

直流电流增益(hFE) - 750 1000

输入电压 - - 2.5 V

针脚数 - 3 -

长度 7.74 mm 7.74 mm 10.28 mm

宽度 2.66 mm 2.66 mm 4.82 mm

高度 11.04 mm 11.04 mm 9.28 mm

封装 TO-225-3 TO-126-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

最小包装 500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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