对比图
型号 KST4126MTF MMBT4126LT3G MMBT4126LT1G
描述 Trans GP BJT PNP 25V 0.2A 3Pin SOT-23 T/R小信号 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 250 MHz 250 MHz 250 MHz
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.35 W 0.3 W 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V 120 @2mA, 1V
额定功率(Max) 350 mW 225 mW 225 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW
额定电压(DC) -25.0 V - -25.0 V
额定电流 -200 mA - -200 mA
针脚数 - - 3
最大电流放大倍数(hFE) 360 - 300
直流电流增益(hFE) - - 120
长度 - 3.04 mm 3.04 mm
宽度 - 2.64 mm 1.3 mm
高度 - 1.11 mm 1.11 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99