对比图
型号 FCA47N60 STW34NM60N FCA47N60_F109
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STW34NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 70 mΩ 0.092 Ω 70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 417 W 210 W 417 W
阈值电压 5 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 47.0 A 29A 47A
上升时间 - 34 ns 210 ns
输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) 2722pF @100V(Vds) 8000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 417 W 210 W 417 W
下降时间 - 70 ns 75 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 417W (Tc) 250W (Tc) 417W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 47.0 A - -
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
通道数 - - 1
长度 16.2 mm 15.75 mm 16.2 mm
宽度 5 mm 5.15 mm 5 mm
高度 20.1 mm 20.15 mm 20.1 mm
封装 TO-3-3 TO-247-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99