FJP13009TU和MJE13009

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJP13009TU MJE13009 STH13009

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FJP13009TU  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 4 MHz, 100 W, 12 A, 8 hFE12安培NPN硅功率晶体管400伏 - 100瓦 12 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 100 WATTS高压快速开关NPN功率晶体管 High voltage fast-switching NPN power transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 12.0 A 12.0 A -

极性 NPN N-Channel NPN

耗散功率 100 W 12 W 100000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5A, 5V 8 @5A, 5V 18 @5A, 5V

额定功率(Max) 100 W 2 W 100 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

频率 4 MHz - -

针脚数 3 - -

集电极最大允许电流 12A - 12A

直流电流增益(hFE) 8 - -

耗散功率(Max) 100000 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) - - 18

长度 10.67 mm 10.28 mm 10.4 mm

宽度 4.83 mm 4.82 mm 4.6 mm

高度 16.51 mm 9.28 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tube Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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