对比图
型号 FQD1N60C SSR2N60B SSR1N60BTM
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN沟道 600V 900mA
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK DPAK TO-252-3
极性 N-CH N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 1A 1.8A 900 mA
漏源极电阻 - - 12.0 Ω
耗散功率 - - 2.5 W
漏源击穿电压 - - 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
上升时间 - - 45 ns
输入电容(Ciss) - - 215pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - - 35 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 28W (Tc)
封装 DPAK DPAK TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.39 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99