BC857BT,115和BC857BTT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BT,115 BC857BTT1G BC857BT-7-F

描述 NXP  BC857BT,115  单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFEON SEMICONDUCTOR  BC857BTT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 200 mW, -100 mA, 150 hFEDIODES INC.  BC857BT-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-416 SC-75-3 SOT-523-3

频率 100 MHz 100 MHz -

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 200 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

直流电流增益(hFE) 220 150 290

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -50 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.15 W 200 mW 150 mW

额定电压(DC) - -45.0 V -50.0 V

额定电流 - -100 mA -100 mA

长度 1.8 mm 1.65 mm -

宽度 0.9 mm 0.9 mm -

高度 0.85 mm 0.9 mm -

封装 SOT-416 SC-75-3 SOT-523-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2015/12/17

军工级 - - Yes

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台