对比图
型号 NTR0202PLT1G NTR0202PLT3G BSH201,215
描述 ON SEMICONDUCTOR NTR0202PLT1G 晶体管, MOSFET, P沟道, 400 mA, -20 V, 800 mohm, -10 V, -1.9 V功率MOSFET -20 V， -400毫安， P沟道SOT- 23封装 Power MOSFET −20 V, −400 mA, P−Channel SOT−23 PackageNXP BSH201,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -160 mA, -60 V, 2.1 ohm, -10 V, -1.9 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 1 1 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.8 Ω 550 mΩ 2.1 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW 417 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 400 mA 400 mA -300 mA
上升时间 6 ns 6 ns 4.5 ns
输入电容(Ciss) 70pF @5V(Vds) 70pF @5V(Vds) 70pF @48V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 417 mW
下降时间 4 ns 6 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225mW (Ta) 417mW (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V -20.0 V -
额定电流 -400 mA -400 mA -
输入电容 - 70.0 pF -
栅电荷 - 2.18 nC -
漏源击穿电压 20 V 20 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
正向电压(Max) 1 V - -
长度 3.04 mm 2.9 mm 3 mm
宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm
高度 1.01 mm 0.94 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -