R1WV3216RSD-7SI和R1WV3216RSD-7SR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1WV3216RSD-7SI R1WV3216RSD-7SR R1LV3216RSD-5SI#B0

描述 32MB先进LPSRAM ( 2M wordx16bit ) 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)32MB先进LPSRAM ( 2M wordx16bit ) 32Mb Advanced LPSRAM (2M wordx16bit)SRAM,R1LV 系列,Renesas ElectronicsR1LV 系列高级低电压静态 RAM 适用于简单接口连接、电池工作和电池备份为重要设计目标的存储器应用。单 2.7V 至 3.6V 电源 小待机电流 无时钟、无需刷新 所有输入和输出均兼容 TTL 三态输出:OR-tie 能力 ### SRAM(静态随机存取存储器)

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 52 - 52

封装 TSOP TSOP TSOP-52

安装方式 - - Surface Mount

电源电压(DC) 2.70V (min) - -

存取时间 70 ns - 55 ns

内存容量 4000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3 V 3 V 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

位数 - - 8, 16

存取时间(Max) - - 55 ns

封装 TSOP TSOP TSOP-52

长度 - - 10.89 mm

宽度 - - 8.99 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Each - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

含铅标准 - - PB free

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

ECCN代码 - - EAR99

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