STB6NB90和STB6NK90ZT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB6NB90 STB6NK90ZT4 STB6NB90T4

描述 N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB6NK90ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 VD2PAK N-CH 900V 5.8A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

引脚数 - 3 -

极性 - N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) - 900 V 900 V

漏源击穿电压 - 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) - 5.80 A 6.00 A

额定电压(DC) - 900 V -

额定电流 - 5.80 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.56 Ω -

耗散功率 - 140 W -

阈值电压 - 3.75 V -

输入电容 - 1350 pF -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 45 ns -

输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 140 W -

下降时间 - 20 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 140W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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