对比图
型号 STB6NB90 STB6NK90ZT4 STB6NB90T4
描述 N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFET N - CHANNEL 900V - 1.7Ω - 5.8A - D2PAK PowerMESHO MOSFETSTMICROELECTRONICS STB6NK90ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.9 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 VD2PAK N-CH 900V 5.8A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
引脚数 - 3 -
极性 - N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) - 900 V 900 V
漏源击穿电压 - 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) - 5.80 A 6.00 A
额定电压(DC) - 900 V -
额定电流 - 5.80 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 1.56 Ω -
耗散功率 - 140 W -
阈值电压 - 3.75 V -
输入电容 - 1350 pF -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
上升时间 - 45 ns -
输入电容(Ciss) - 1350pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 140 W -
下降时间 - 20 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 140W (Tc) -
封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 9.35 mm -
高度 - 4.6 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -