IRFB4127PBF和IRFB4227PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4127PBF IRFB4227PBF SUM65N20-30-E3

描述 INFINEON  IRFB4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 200 V, 17 mohm, 20 V, 5 VINFINEON  IRFB4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 65 A, 200 V, 0.0197 ohm, 10 V, 5 VN 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263

额定功率 375 W 190 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.017 Ω 0.0197 Ω 0.03 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 330 W 3.75 W

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 5380 pF 4600 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V -

连续漏极电流(Ids) 76A 65A 65.0 A

上升时间 18 ns 20 ns 220 ns

输入电容(Ciss) 5380pF @50V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 330 W -

下降时间 22 ns 31 ns 200 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375000 mW 330W (Tc) 375 W

长度 10.67 mm 10.66 mm 10.41 mm

宽度 4.4 mm 4.82 mm 9.652 mm

高度 15.65 mm 9.02 mm 4.826 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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