MMBT2369A和MMBT2369LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2369A MMBT2369LT1G MMBT2369ALT1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2369A  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2369LT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 300 mW, 200 mA, 120 hFEON SEMICONDUCTOR  MMBT2369ALT1G  单晶体管 双极, NPN, 15 V, 225 mW, 200 mA, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V 15.0 V

额定电流 200 mA 200 mA 200 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 225 mW 300 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 15 V 15 V 15 V

集电极最大允许电流 - 0.2A 0.2A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 1V 20 20 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 40 120 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.35 W 300 mW 300 mW

长度 2.9 mm 2.9 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.97 mm 0.94 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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