TPS2811DG4和TPS2811DR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPS2811DG4 TPS2811DR TPS2811D

描述 双高速MOSFET DRIBERS DUAL HIGH-SPEED MOSFET DRIBERSMOSFET驱动器TEXAS INSTRUMENTS  TPS2811D  双路驱动器, MOSFET, 高压侧, 4V-14V电源, 2A输出, 25ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器电源管理FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 4.00V (min)

上升/下降时间 14ns, 15ns 14ns, 15ns 14ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 - - 15.5 V

输出电流 - 2 A 2.00 A

供电电流 - - 5.00 mA

通道数 - - 2

针脚数 - - 8

耗散功率 0.73 W 730 mW 730 mW

上升时间 35 ns 14 ns 35 ns

输出电压(Max) - - 13 V

下降时间 35 ns 15 ns 35 ns

下降时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

上升时间(Max) 35 ns 35 ns 35 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 730 mW 730 mW 730 mW

电源电压 4V ~ 14V 4V ~ 14V 4V ~ 14V

电源电压(Max) - 14 V 14 V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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