对比图
描述 N沟道 500V 350mAQFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-92-3
引脚数 - 3
额定电压(DC) 500 V 500 V
额定电流 350 mA 350 mA
漏源极电阻 4.20 Ω 5.30 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 1.5 W 1.5 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 350 mA 350 mA
上升时间 25 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W
下降时间 25 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5W (Tc) 1.5W (Tc)
长度 5.2 mm 4.9 mm
宽度 4.19 mm 3.9 mm
高度 5.33 mm 8 mm
封装 TO-226-3 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Tape & Box (TB)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99