KSH112和MJD112T4G

对比图

型号 KSH112 MJD112T4G CJD112TR13

描述 D- PAK表面贴装应用 D-PAK for Surface Mount ApplicationsON SEMICONDUCTOR  MJD112T4G.  达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAKPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 DPAK TO-252-3 -

额定电压(DC) - 100 V -

额定电流 - 2.00 A -

无卤素状态 - Halogen Free -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

耗散功率 - 20 W -

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V -

集电极最大允许电流 2A 2A -

最小电流放大倍数(hFE) - 1000 @2A, 3V -

最大电流放大倍数(hFE) - 12000 -

额定功率(Max) - 1.75 W -

直流电流增益(hFE) - 12 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 25MHz (Min) -

耗散功率(Max) - 1750 mW -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 DPAK TO-252-3 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -