FDN336P和FDN336P-NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDN336P FDN336P-NL PMV160UP

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN336P  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.3 A, -20 V, 0.122 ohm, -4.5 V, -900 mVMOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT-3NXP  PMV160UP  晶体管, MOSFET, 沟, P沟道, -1.2 A, -20 V, 0.17 ohm, -4.5 V, -700 mV 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.122 Ω - 0.17 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 500 mW 500mW (Ta) 335 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 1.20 A - 1.2A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 2.17 W

额定电压(DC) -20.0 V - -

额定电流 -1.30 A - -

输入电容 330 pF - -

栅电荷 3.60 nC - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

上升时间 12 ns - -

输入电容(Ciss) 330pF @10V(Vds) 330pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW - -

下降时间 5 ns - -

长度 2.92 mm - 3 mm

宽度 1.4 mm - 1.4 mm

高度 0.94 mm - 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

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