DTC114EE和DTC114TCAT116

对比图

型号 DTC114EE DTC114TCAT116 PDTC124ES,126

描述 数字晶体管（内置电阻） Digital transistors (built-in resistors)双极晶体管 - 预偏置 NPN 100mA 50V w/bias resistorSPT NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 -

封装 EMT SOT-23-3 TO-226-3

额定功率 - 0.2 W -

耗散功率 - 0.35 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V 60 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW 500 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) - 350 mW -

极性 NPN - NPN

集电极最大允许电流 0.1A - 100mA

封装 EMT SOT-23-3 TO-226-3

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -