BSC082N10LS G和FDMS86101

对比图

型号 BSC082N10LS G FDMS86101

描述 INFINEON  BSC082N10LS G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 1.85 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDMS86101  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.9 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 PowerTDFN-8 Power-56

针脚数 8 8

漏源极电阻 0.0068 Ω 0.0063 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 156 W 104 W

阈值电压 1.85 V 2.9 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 60.0 A

输入电容(Ciss) 7400pF @50V(Vds) 3000pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 156 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 104W (Tc)

上升时间 24 ns -

下降时间 12 ns -

长度 5.9 mm 5.1 mm

宽度 5.15 mm 6.25 mm

高度 1.27 mm 1.05 mm

封装 PowerTDFN-8 Power-56

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15