AT-32011-TR1G和AT-41511-TR1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT-32011-TR1G AT-41511-TR1 AT-32011-TR1

描述 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low CurrentTRANSISTOR,BJT,NPN,12V V(BR)CEO,50mA I(C),SOT-143IC TRANS NPN BIPOLAR SOT-143

数据手册 ---

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科) AVAGO Technologies (安华高科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4

引脚数 4 - -

额定电压(DC) 5.50 V 1.50 V 5.50 V

额定电流 32.0 mA 50.0 mA 32.0 mA

击穿电压(集电极-发射极) 5.5 V 12 V 5.5 V

增益 12.5dB ~ 14dB 11dB ~ 15.5dB 12.5dB ~ 14dB

最小电流放大倍数(hFE) 70 @2mA, 2.7V 30 @5mA, 5V 70 @2mA, 2.7V

额定功率(Max) 200 mW 225 mW 200 mW

频率 10000 MHz - -

极性 NPN - -

耗散功率 200 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 TO-253-4 TO-253-4 TO-253-4

长度 3.06 mm - -

宽度 1.4 mm - -

高度 1.1 mm - -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

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