FQD12N20TF和FQD18N20V2TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD12N20TF FQD18N20V2TF FDD2670

描述 N沟道 200V 9ATrans MOSFET N-CH 200V 15A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD2670  场效应管, MOSFET, N通道, 200V, 3.6A TO-252

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 9.00 A 15.0 A 3.60 A

通道数 - - 1

针脚数 - - 2

漏源极电阻 280 mΩ 140 mΩ 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5 W 3.2 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1.23 nF

栅电荷 - - 27.0 nC

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.00 A 15.0 A 3.60 A

上升时间 - 133 ns 8 ns

输入电容(Ciss) 910pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds) 1228pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 1.3 W

下降时间 - 62 ns 25 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) 70 W

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

高度 - 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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