对比图
型号 APT10050JVFR APT21M100J IXTN21N100
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 19A 4Pin SOT-227N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSOT-227B N-CH 1000V 21A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Screw Screw
引脚数 4 4 3
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV
额定电流 19.0 A 21.0 A 21.0 A
额定功率 - - 520 W
极性 - - N-Channel
耗散功率 450 W 462 W 520W (Tc)
漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 21.0 A 21.0 A
上升时间 13 ns 35 ns 50.0 ns
输入电容(Ciss) 6600pF @25V(Vds) 8500pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 520 W
耗散功率(Max) 450000 mW 462W (Tc) 520W (Tc)
输入电容 7.90 nF 8.50 nF -
栅电荷 500 nC 260 nC -
下降时间 8 ns 33 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227-4
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free