对比图
型号 IRG4RC10SDTRLP IRG4RC10SDTRPBF
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 14A 38000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/RIGBT 晶体管 600V DC-1kHz
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - 38 W
耗散功率 - 38 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 28 ns 28 ns
额定功率(Max) 38 W 38 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 38000 mW
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free PB free
ECCN代码 - EAR99