EMC3DXV5T1和EMC3DXV5T5G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 EMC3DXV5T1 EMC3DXV5T5G EMC3DXV5T1G

描述 双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双共基极 - 集电极偏置电阻晶体管NPN和PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Dual Common Base−Collector Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor NetworkON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-553-5

引脚数 - 5 5

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

极性 NPN+PNP NPN+PNP NPN+PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

通道数 - 2 2

耗散功率 - 0.5 W 357 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 80 80

最大电流放大倍数(hFE) - 35 35

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

额定电压 - 50 V 50 V

封装 SOT-553 SOT-553-5 SOT-553-5

长度 - - 1.7 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - - 0.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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