对比图
型号 2N3507A JANTXV2N3507AL 2N3507
描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 50V 3A 3Pin TO-5NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-39 TO-205 TO-39
耗散功率 1 W - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW - 1000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @1.5A, 2V -
额定功率(Max) - 1 W -
封装 TO-39 TO-205 TO-39
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bulk Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - - EAR99