对比图
描述 大电流互补硅晶体管 High-Current Complementary Silicon TransistorsON SEMICONDUCTOR MJ11016G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 120 V, 200 W, 30 A, 1000 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 2
封装 TO-3 TO-204-2
额定电压(DC) 120 V 120 V
额定电流 30.0 A 30.0 A
极性 N-Channel NPN
耗散功率 200000 mW 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 120 V 120 V
集电极最大允许电流 30A 30A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @20A, 5V 1000 @20A, 5V
额定功率(Max) 200 W 200 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
增益带宽 4MHz (Min) 4MHz (Min)
耗散功率(Max) 200000 mW 200000 mW
输出电压 - 120 V
输出电流 - 30 A
针脚数 - 2
直流电流增益(hFE) - 1000
输入电压 - 5 V
封装 TO-3 TO-204-2
长度 - 39.37 mm
宽度 - 26.67 mm
高度 - 8.51 mm
工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
最小包装 100 -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99