对比图
型号 NTMFS4852NT1G NTMFS4852NT3G
描述 ON SEMICONDUCTOR NTMFS4852NT1G 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 25A, SOIC功率MOSFET的30 V ， 155 A单N沟道， SO- 8 FL Power MOSFET 30 V, 155 A, Single N−Channel, SO−8 FL
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 5
封装 SO-FL-8 DFN-5
通道数 1 -
针脚数 8 -
漏源极电阻 0.0016 Ω -
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 86.2 W 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
阈值电压 1.8 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30 V -
连续漏极电流(Ids) 40A -
上升时间 25.6 ns 25.6 ns
输入电容(Ciss) 4970pF @12V(Vds) 4970pF @12V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW -
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 900mW (Ta), 86.2W (Tc)
长度 5.1 mm -
宽度 6.1 mm -
高度 1.1 mm -
封装 SO-FL-8 DFN-5
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -