CY7C1415AV18-250BZC和CY7C1415KV18-250BZC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1415AV18-250BZC CY7C1415KV18-250BZC CY7C1415KV18-250BZXC

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR ? II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 4-Word Burst ArchitectureCY7C1415KV18 系列 36M (1M x 36) QDR® II SRAM 四字突发架构

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

供电电流 - - 640 mA

位数 36 36 36

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

时钟频率 - 250 MHz -

封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165

高度 0.89 mm 0.89 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free

ECCN代码 - 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a

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