对比图
型号 MMBT2907A MMBT2907AK MMBT2907AWT1G
描述 NTE ELECTRONICS MMBT2907A Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60V, 300MHz, 225mW, -600mA, 35 hFEPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon TransistorON SEMICONDUCTOR MMBT2907AWT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFE
数据手册 ---
制造商 NTE Electronics Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 SC-70-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 225 mW 350 mW 150 mW
直流电流增益(hFE) 35 50 200
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
频率 - - 200 MHz
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -600 mA -600 mA
额定功率 - - 0.15 W
针脚数 - - 3
增益频宽积 - 200 MHz 200 MHz
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V
额定功率(Max) - 350 mW 150 mW
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - - 150 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 300 -
封装 SOT-23 SOT-23-3 SC-70-3
长度 - 2.92 mm 2.2 mm
宽度 - 1.3 mm 1.24 mm
高度 - 0.93 mm 0.7 mm
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 8541210075 -