MTD2955V和MTD2955V-1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD2955V MTD2955V-1G MTD2955VT4

描述 功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252 IPAK TO-252-3

上升时间 50 ns - 50 ns

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) - 770pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns - 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW - 60W (Tc)

极性 - P-CH -

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 12A 12.0 A

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -12.0 A

耗散功率 - - 60W (Tc)

封装 TO-252 IPAK TO-252-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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