对比图
型号 2N3507 JANTXV2N3507 JAN2N3507
描述 NPN型中功率硅晶体管 NPN MEDIUM POWER SILICON TRANSISTORTO-39 NPN 50V 3ATO-39 NPN 50V 3A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39 TO-39 TO-205
极性 - NPN NPN
耗散功率 1 W 1000 mW 1 W
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V
集电极最大允许电流 - 3A 3A
最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @1.5A, 2V
额定功率(Max) - - 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
封装 TO-39 TO-39 TO-205
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bag Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free -
ECCN代码 EAR99 - EAR99