ZVP2106G和ZVP2106GTC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZVP2106G ZVP2106GTC ZVP2106GTA

描述 DIODES INC.  ZVP2106G  晶体管, MOSFET, P沟道, 450 mA, -60 V, 5 ohm, -10 V, -3.5 VTrans MOSFET P-CH 60V 0.45A Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/RP沟道 60V 450mA

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 4 - 4

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

针脚数 4 - -

漏源极电阻 5 Ω - 5.00 Ω

极性 P-Channel - P-Channel

耗散功率 2 W - 0.2 W

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 450 mA - 450 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -450 mA

输入电容 - - 100 pF

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) - - 100pF @18V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

封装 SOT-223 SOT-223 TO-261-4

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台